刘瑞妮,赵桦,陈晓波,焦华,张建英,郑海荣,张喜生,杨合情
陕西师范大学学报(自然科学版). 2008, 36(6): 52-57.
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通过在N2气氛中将金属镓加热到900 ℃,在镓颗粒表面大面积生长出β-Ga2O3纳米线. 采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征. 结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50~100 nm,长度为30~100 μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.