刘伟,高斐,方晓玲,王建军,张佳雯,晏春愉
陕西师范大学学报(自然科学版). 2007, 35(4): 33-36.
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应用晶化非晶硅(a-Si)薄膜铝诱导方法,采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)、光学显微镜(Optical Microscopy, OM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)等测试手段,研究了退火条件对样品晶化的影响.结果表明,样品在300℃下退火后仍为非晶态; 退火温度为400℃时,样品开始晶化.随着退火时间的增加,薄膜晶化程度越来越高,晶粒越来越大,同时薄膜表面粗糙度增加.