杨锋莉,吴俊林,闫妍,刘鹏
陕西师范大学学报(自然科学版). 2011, 39(5): 23-26.
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采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)xMg2TiO4 (x=0,0.2, 0.4, 0.6)陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tan δ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据.